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BD744C中文资料

  • 大小：113.91KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：isc Silicon PNP Power Transistor
  • 制造商：Bourns
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：15 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：90000 mW
  • 工厂包装数量：50

BD744C供应商

更新时间:2023-01-11 02:10:27
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